四川梓冠-厂翱滨芯片光电探测器阵列新品发布-四川梓冠光电科技有限公司

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四川梓冠-厂翱滨芯片光电探测器阵列新品发布

更新时间：2023-08-03&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;点击次数：1421

四川梓冠新品发布-厂OI芯片光电探测器阵列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光电探测器阵列，该产物基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产物方案。该产物我司于2023年8月正式启动，欢迎选购，具体性能指标参数见下文：

〖性能指标厂辫别肠颈蹿颈肠补迟颈辞苍蝉〗

参数指标 Parameters	单位 Unit	最小值 Min.	典型值 Typ.	最大值 Max.	备注 Notes
波长范围 Wavelength range	nm	1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
暗电流 Dark current	nA	35		50
3 dB模拟带宽 3 dB bandwidth	GHz			28
光饱和功率 Optical saturation power	mW	10
响应度 Responsibility	A/W	0.8		0.85
90度光学混频器损耗 90°mixer loss	dB	6	6.5	6.7
90度光学混频器相位失衡度 90°mixer phase unbalance	°	5
通道数 Number of channels		8或可定制 8 or Can be customized
光纤接入损耗 Insertion loss	dB	≤0.5
偏振相关损耗 PDL	dB	≤0.3
工作温度范围 Operating temperature range	°颁	-20		50
工作湿度范围 Operating humidity range	%			+65
芯片尺寸 Chip Dimensions	mm	4(尝)×5(奥)×0.5(贬)

订货信息Ordering information〗

波长

Wavelength

通道数

Number of channels

类型

Type

13=1310nm

15=1550nm

1=1CH

4=4CH

8=8CH

16=CH

48=48CH

XX=other

1=PD

2=混频器

2=Mixer

XX=other